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基于差分信號調(diào)理芯片JHM1101的變送電路設計

2020-07-10 18:15:57 1320

基于差分信號調(diào)理芯片JHM1101的變送電路設計

JHM1101 Based Signal Conditioning Circuit Design

劉海軍(北京久好電子科技有限公司 100085

 

摘要:本文設計了一款高性價比、高穩(wěn)定性的420mA輸出變送電路,主芯片采用國產(chǎn)差分信號調(diào)理芯片JHM1101,外部使用單運放搭建V/I電路,使整個電路的元器件應用具有極高的靈活性。搭配數(shù)字校準板及上位機軟件,就可以實現(xiàn)單路及批量的溫度補償和校準。本電路已經(jīng)廣泛應用于液壓、氣壓等壓力傳感器的測量并取得很好效果。

 

關鍵字壓力變送器;信號調(diào)理芯片、放大器、儀表、Sensor

 

0 引言:

JHM1101是一款針對差分電阻橋式或半橋式傳感器信號設計的高精度模數(shù)轉(zhuǎn)換器,可通過單線接口提供數(shù)字或模擬的測量輸出信號,為傳感器提供便捷、準確的測量結果。該芯片提供模擬和數(shù)字型輸出方式,比如rail-to-rail輸出,0~1V輸出,數(shù)字信號輸出、PWM輸出。在工業(yè)類應用中,4~20mA型的電流是最常用的輸出方式,對此本文描述了應用JHM1101實現(xiàn)此電流輸出的方法及參考設計。

1 電路結構設計:

基于JHM1101420mA輸出變送電路如圖1所示,其中U2就是JHM1101芯片,直接與傳感器(Sensor)連接。在保證SENSOR、U1U2總工作電流不超過3.5mA的前提下,通過這個V/I電路可以實現(xiàn)將電壓型校準輸出轉(zhuǎn)變成4~20mA的電流型輸出。為了將輸出電流控制得比較小,電阻RDDROUT的阻值需要是10:1的比例關系,并且RDD的阻值應該在MΩ級別。U1建議選用5V低功耗rail-to-rail型的儀表放大器,如OPA337。穩(wěn)壓二極管ZD2VDD端提供電壓保護。Q2是一個N溝道的JFET管,用于將電源電壓穩(wěn)定到5V,型號建議選擇MMBF4393。Q1NPN型的三極管,選型時需要考慮它承受的耐壓值與功率,建議選擇BCX56。

image.png

圖1 基于JHM1101的4~20mA輸出變送基本電路

 

依圖1的電流輸出與JHM1101的電壓的關系式ICL=f(VOUT)如式1。

image.png

       其中定義

image.png

image.png

這樣輸出電流就可以表示為:

image.png

1中各個電阻值為RSENS=50ΩRDD=1.2MΩ,ROUT=120KΩ,RBACK=24KΩ,芯片的供電電壓VDD=5V,那么Gain=0.2mA,Offset=2mA。也就是說輸出電流與電壓構成的關系式如下:

image.png

當期望的電流輸出范圍是4~20mA時,那么根據(jù)上式,可計算出image.png范圍為10%~90%

由于此電路采用了后端電流溫度補償方法,所以RE、RSENSROUT、RBACK、RDD阻值精度在1%以內(nèi),溫漂在100PPM以內(nèi)就可以了。在更高的精度及溫漂要求下,可以提高這幾個元件的精度。

2 濾波網(wǎng)絡設計

為確保輸入信號盡可能沒有噪聲,在傳感器輸出與JHM1101輸入引腳間放置一個低通濾波網(wǎng)絡,如圖2所示。

image.png

圖2 低通濾波網(wǎng)絡原理圖

此輸入濾波器同時具有共模組件和差模組件。由于傳感器電壓信號是一個直流信號,為減弱任何可能出現(xiàn)的交流噪聲,這個低通濾波器的截止頻率可以設置為一個非常低的值。

此濾波器的截止頻率公式定義:

R6=R7;R0=R6+ RBC5=C7;C6=10*C5

image.png

image.png

將此差模濾波器的截止頻率設定為fC_DIFF=40HZ可以有效地消減全部差模交流噪聲。共模濾波器的截止頻率應至少設定為十倍頻,以避免將共模噪聲(如50HZ噪聲)轉(zhuǎn)換為JHM1101差分輸入信號。這里假設使用陶瓷芯體,其橋阻一般為10 KΩ左右,這里RB取值為10KΩ。根據(jù)所需要的差模濾波器截止頻率,v計算出R6C5的數(shù)值,因為C6共模濾波電容為C5的十倍。

在這里C5取一個電容器的常用值10nF,通過下面的公式算出R6的數(shù)值:

image.png

C5=10nFfC_DIFF=23HZ代入上面公式,得出R6的理想值為:

R0=18.94KΩ

R6= R7= R0- RB=8.94KΩ

通過這個理想值,選擇10KΩ這個常用電阻作為標準值,使用R6=10KΩC5=10nF濾波器的最終截止頻率為:

fC_DIFF=37.89HZ

fC_CM=1591HZ

在大多數(shù)應用時,低通濾波截止頻率不需要十分精確。所以C5C6、C7電容值達到10%的精度,R6、R7電阻值達到1%的精度就可以了。在要求很高精度的應用中,比如需要更精確的低通濾波截止頻率,可以提高這幾個元件的精度。

 

3 外部保護電路

為了確保模塊在操作人員的誤操作和極端惡劣的環(huán)境下不損壞,在模塊的電流出入端增加了外部的保護電路,如圖3所示。

image.png

圖3 外部的保護電路

兩個高壓低容量電容C1、C2提供一個高頻干擾對大地的通道,還可抑制分布電容的影響。兩個磁珠F1、F2在臨界交流頻率時,呈高阻抗,并且提供一個低直流電阻。C1、C2F1、F2相互配合,可提供EMI的保護。

一個肖特基二極管D1和一個雙向TVS二極管提供ESDEFT和浪涌保護。BAS170WS保證在電源連接極性相反時,不會有電流經(jīng)過電流環(huán)路。這個肖特基二極管針對電壓在70V以內(nèi)的極性保護。這個模塊電流環(huán)路設計的最高電壓是30V,所以ZD1選用一個擊穿電壓稍高于30V的雙向TVS管。選擇ZD1時還需注意,它的漏電電流不應超過5uA,否則會對電流的輸出結果產(chǎn)生影響。

電路的入口處的電容C3為去耦電容,這個電容可以保證在長線的感性負載下,電路不震蕩。

電容C1、C2 需要有一個高耐壓值和小電容值,這里選擇耐壓值為1KV,電容量為10nF的貼片電容。磁珠F1、F2需要有一個在高頻時的較高電阻和直流的低阻值,這里選擇MMZ1608Y152B磁珠。TVS二極管ZD1需要選擇擊穿電壓稍高于30V,又能經(jīng)受大電流瞬間沖擊,和1nS以內(nèi)響應速度,這里選擇SMBJ30CA。C3的選擇主要考慮耐壓值及電容值,這里選擇耐壓值50V,電容值為100nF的貼片電容。

4 電路校準原理

實際電路電阻的阻值總是存在著誤差,因此第2節(jié)中的電流與電壓的關系式就構成如下關系式:

image.png

為實現(xiàn)更高精度,在校準過程中需要增加一個校準電路步驟,其目的是要計算出上式中的ΔGainΔOffset,進而計算出實際電壓輸出值。校準步驟如下:

第一、   由第二節(jié)中的公式,根據(jù)電流輸出,計算出2個理論的電壓輸出百分比值;

第二、   控制JHM1101DAC輸出,使之輸出相應的百分比對應電壓;

第三、   采集對應的兩個電路電源端實際電流;

第四、   計算出ΔGain,ΔOffset;

第五、   將計算出的ΔGain,ΔOffset代入公式,計算出電流輸出實際應該對應的電壓輸出;

第六、   將實際電壓輸出百分比作為電橋輸出期望值,再進行傳感器的校準操作。

5 電流溫度補償原理

在實驗過程中,即使RSENS、ROUT、RBACKRDD這四個電阻精度達到0.1%,溫度系數(shù)達到10PPM以內(nèi),使用普通前端補償方法校準出的電流輸出信號依然溫漂很大。這是因為電流輸出的溫度漂移和RSENS、ROUTRBACK、RDD的溫度系數(shù)及JHM1101內(nèi)部R_trim的校準精度都有關系,使得難以補償出全溫區(qū)溫漂達到0.5%以內(nèi)的變送器,現(xiàn)在使用電流溫度補償方法可以很好地解決這種問題。

電流溫度補償方法比較簡單分成以下四步實現(xiàn):

第一、      在常溫下,校準出420mA信號,得到Gain_BOffset_B兩個參數(shù)。

第二、      420mA的電流信號變換成百分比數(shù)據(jù)。

第三、      采集低溫和高溫的電流信號,并變換成百分比數(shù)據(jù)。

第四、      通過校準算法計算出TC_gTC_o、SOT等參數(shù),完成溫度甚至二階補償。

6 PCB電路板設計

這個設計可以采用圓形雙層PCB,直徑為20mm,如圖4所示。這個尺寸的PCB在變送器設計中很常見,稍加改動就可以輕松實現(xiàn)實際應用。由于PCB尺寸較小所以元件的放置就比較緊密,JHM1101由于可能使用內(nèi)部溫度傳感器所以和測溫二極管及低通濾波元件放置于底層,也就是最靠近Sensor的位置。V/I轉(zhuǎn)換及外部保護元件則放置于頂層。PCB板實物如圖5所示。

image.png

5 PCB板實物

為了防止浪涌帶來的電磁干擾,接地電容C1、C2ZD1貼近電流出入口P2放置。Sensor信號到低通濾波器和JHM1101輸入腳的走線盡量做到最短,避免模擬信號的連線引入噪聲。調(diào)試口連線需遠離模擬信號,防止串擾。去耦電容C4C8放置在非??拷嚓P電源引腳的位置上。雙面大面積覆銅提供非常低的對地阻抗,必要時可增加過孔連接雙側的覆銅,可以減小電流流過單個過孔時產(chǎn)生的電磁干擾。

Q1的內(nèi)部功耗產(chǎn)生的熱量會導致環(huán)境溫度變化,這個溫度變化會導致RSENS、ROUTRBACKRDD的阻值和JHM1101精度發(fā)生變化,所以Q1擺放盡可能遠離RSENS、ROUT、RBACKRDDJHM1101。在圖5

PCB布局布線圖中可以發(fā)現(xiàn),Q1除遠離對溫度敏感元件擺放外,在它們之間還開了熱隔離槽,盡可能的降低Q1發(fā)熱對模塊精度的影響。

         7 測試結果

至此基于JHM1101420mA輸出變送電路設計完成。還需要說明的是供電電壓與負載關系,如圖6所示,以及電路上電的穩(wěn)定時間,如圖7所示。

image.png

            圖6供電電壓與負載電阻關系圖

image.png

圖7上電輸出穩(wěn)定時間測試圖

由此設計可得出較為理想的測試數(shù)據(jù),以下為使用陶瓷壓阻芯體,在25℃下校準后,在25℃和85℃下的測試數(shù)據(jù),提供給大家參考。

125℃時的測試數(shù)據(jù)

壓力(MPa

正行程輸出(mA

反行程輸出(mA

0

4.003

4.003

0.1

6.662

6.664

0.2

9.331

9.335

0.3

12.001

12.004

0.4

14.668

14.675

0.5

17.33

17.339

0.6

20.003

20.004

285℃的測試數(shù)據(jù)

壓力(MPa

正行程輸出(mA

反行程輸出(mA

0

3.989

3.989

0.1

6.664

6.664

0.2

9.35

9.344

0.3

12.037

12.032

0.4

14.722

14.717

0.5

17.411

17.406

0.6

20.103

20.098

經(jīng)過測試,在25~85℃溫區(qū)內(nèi),搭配陶瓷壓阻芯體,此電路可以達到1%FS以內(nèi)的精度,符合設計要求。


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